Отправить статью по E-mail 
Анализ коэффициента шума приемного тракта на основе смесителя с управлением по току
- Авторы: Коротков А.С.1, Чан Т.Д.1
-
Учреждения:
- Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
- Выпуск: Том 69, № 11 (2024)
- Страницы: 1110-1120
- Раздел: Статьи
- URL: https://journals.rcsi.science/0033-8494/article/view/282176
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424110092
- EDN: https://elibrary.ru/HOCDDO
- ID: 282176
Цитировать
Полный текст
Аннотация
Проведен анализ шумовых свойств приемного тракта на основе пассивного смесителя с управлением по току с учетом источников шума следующих устройств: входного малошумящего усилителя, собственно смесителя, выходного трансимпедансного усилителя. Проанализирован шум на выходе приемного тракта, который генерируется перечисленными группами источников шума. Найден коэффициент шума приемного тракта и его оптимальное (наименьшее) значение с учетом влияния паразитных емкостей ключей смесителя. Результаты расчета подтверждены результатами моделирования.
Об авторах
А. С. Коротков
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Автор, ответственный за переписку.
Email: korotkov@spbstu.ru
Россия, ул. Политехническая, 29, Санкт-Петербург, 195251
Т. Д. Чан
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Email: korotkov@spbstu.ru
Россия, ул. Политехническая, 29, Санкт-Петербург, 195251
Список литературы
- Terrovitis M. A., Mayer R. G. // IEEE J. Solid-State Circuits. 1999. V. 34. № 6. P. 772.
- Darabi H., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2000. V. SSC-35. № 1. P. 15.
- Kоротков А. С. // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 2. С. 128.
- Qi G., Shao H., Mak P. I. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2020. V. 55. № 12. P. 3387.
- Yang D., Andrew C., Molnar A. // IEEE Trans. 2015. V. CS-I-62. № 11. P. 2759.
- Lenka M. K., Banerjee G. // IEEE Trans. 2019. V. VLSI-27. № 5. P. 993.
- Shams N., Nabki F. // IEEE Trans. 2023. V. VLSI-31. № 3. P. 369.
- Chehrazi S., Mirzaei A., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2010. V. CS-I-57. № 2. P. 332.
- Чан Т. Д., Коротков А. С. // РЭ. ٢٠٢٤. Т. 69. № 3. С. 288.
- Коротков А. С., Чан Т. Д. // РЭ. ٢٠٢٣. Т. 68. № 1. С. 83.
- Mirzaei A., Darabi D., Leete J. C. et al. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2009. V. 44. № 10. P. 2678.
- Korotkov A. S., Tran T. D. // Proc. 2023 Int. Conf. Electrical Engineering and Photonics. St. Petersburg. 19–20 Oct. N.Y.: IEEE, 2023. P. 22.
- Nguyen T. K., Kim C. H., Ihm G. J. et al. // IEEE Trans. 2004. V. MTT-52. № 5. P. 1433.
Дополнительные файлы
