Частично-разупорядоченное кристаллическое состояние в тонкой пленке Ge2Sb2Te5: проявление термоиндуцированного наноразмерного эффекта
- Авторы: Миронов Б.Н.1, Пойдашев Д.Г.1, Асеев С.А.1, Малиновский А.Л.1, Авилов А.С.2, Ищенко А.А.3, Рябов Е.А.1
-
Учреждения:
- Институт спектроскопии РАН, Москва, Троицк, Россия
- Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия
- РТУ–МИРЭА – Российский технологический университет, Институт тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
- Выпуск: Том 70, № 5 (2025)
- Страницы: 810-816
- Раздел: ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
- URL: https://journals.rcsi.science/0023-4761/article/view/333319
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476125050113
- EDN: https://elibrary.ru/vfywzl
- ID: 333319
Цитировать
Аннотация
Об авторах
Б. Н. Миронов
Институт спектроскопии РАН, Москва, Троицк, РоссияМосква, Троицк, Россия
Д. Г. Пойдашев
Институт спектроскопии РАН, Москва, Троицк, РоссияМосква, Троицк, Россия
С. А. Асеев
Институт спектроскопии РАН, Москва, Троицк, РоссияМосква, Троицк, Россия
А. Л. Малиновский
Институт спектроскопии РАН, Москва, Троицк, РоссияМосква, Троицк, Россия
А. С. Авилов
Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”, Москва, Россия
Email: avilovanatoly@mail.ru
Москва, Россия
А. А. Ищенко
РТУ–МИРЭА – Российский технологический университет, Институт тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, Москва, РоссияМосква, Россия
Е. А. Рябов
Институт спектроскопии РАН, Москва, Троицк, РоссияМосква, Троицк, Россия
Список литературы
- Талочкин А.Б., Кох К.А., Терещенко О.Е. // Письма в ЖЭТФ. 2021. Т. 113. Вып. 10. С. 683. https://doi.org/10.31857/S1234567821100086
- Козюхин С.А., Лазаренко П.И., Попов А.И., Еременко И.Л. // Успехи химии. 2022. Т. 91. Вып. 9. RCR5033. https://doi.org/10.1070/RCR5033
- Prabhathan P., Sreekanth K.V., Teng J. et al. // iScience. 2023. V. 26. № 12. P. 107946. https://doi.org/10.1016/j.isci.2023.107946
- Wuttig M., Bhaskaran H., Taubner T. // Nature Photon. 2017. V. 11. P. 465. https://doi.org/10.1038/nphoton.2017.126
- Kooi B.J., Wuttig M. // Adv. Mater. 2020. V. 32. № 21. Р. 1908302. https://doi.org/10.1002/adma.201908302
- Lee Y.K., Yoo C., Kim W. et al. // J. Mater. Chem. C. 2021. V. 9. P. 3708. https://doi.org/10.1039/D1TC00186H
- Neumann C.M., Okabe K.L., Yalon E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. Р. 082103. https://doi.org/10.1063/1.5080959
- Wang X.P., Li X.B., Chen N.K. et al. // Adv. Sci. 2021. V. 8. Р. 2004185. https://doi.org/10.1002/advs.202004185
- Simpson R.E., Fons P., Kolobov A.V. et al. // Nat. Nanotechnol. 2011. V. 6. P. 501. https://doi.org/10.1038/nnano.2011.96
- Urban P., Schneider M.N., Erra L. et al. // Cryst. Eng. Comm. 2013. V. 15. P. 4823. https://doi.org/10.1039/C3CE26956F
- Lotnyk A., Dankwort T., Behrens M. et al. // Acta Mater. 2024. V. 266. P. 119670. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2024.119670
- Zheng Y., Cheng Y., Huang R. et al. // Sci. Rep. 2017. V. 7. P. 5915. https://doi.org/10.1038/s41598-017-06426-2
- Wang Y., Chen X., Cheng Y. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2014. V. 35. № 5. P. 536. https://doi.org/10.1109/LED.2014.2308909
- Njoroge W.K., Wöltgens H.-W., Wuttig M. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. V. 20. P. 230. https://doi.org/10.1116/1.1430249
- Do K., Lee D., Ko D.-H. et al. // Electrochem. Solid-State Lett. 2010. V. 13. P. H284. https://doi.org/10.1149/1.3439647
- Миронов Б.Н., Компанец В.О., Асеев С.А. и др. // ЖЭТФ. 2017. Т. 151. С. 494. https://doi.org/10.7868/S0044451017030051
- Aseyev S.A., Ryabov E.A., Mironov B.N. et al. // Chem. Phys. Lett. 2022. V. 797. P. 139599. https://doi.org/10.1016/j.cplett.2022.139599
- Filippetto D., Musumeci P., Li R.K. et al. // Rev. Mod. Phys. 2022. V. 94. P. 045004. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.94.045004
- Alwi H.A., Kim Y.Y., Awang R. et al. // Int. J. Heat Mass Transfer. 2013. V. 63. P. 199. https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2013.03.062
- Lankhorst M.H.R., Ketelaars B.W.S. M.M., Wolters R.A.M. // Nat. Mater. 2005. V. 4. P. 347. https://doi.org/10.1038/nmat1350
- Hegedüs J., Elliott S.R. // Nat. Mater. 2008. V. 7. P. 399. https://doi.org/10.1038/nmat2157
- Siegrist T., Jost P., Volker H. et al. // Nat. Mater. 2011. V. 10. P. 202. https://doi.org/10.1038/nmat2934
- Momand J., Wang R., Boschker J.E. et al. // Nanoscale. 2015. V. 7. P. 19136. https://doi.org/10.1039/C5NR04530D
- Santala M.K., Reed B.W., Topuria T. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. Р. 024309. https://doi.org/10.1063/1.3678447
- Liu C., Tang Q., Zheng Y. et al. // APL Mater. 2022. V. 10. № 2. Р. 021102. https://doi.org/10.1063/5.0079370
- Phillips J.C. // J. Non-Cryst. Solids. 1979. V. 34. P. 153. https://doi.org/10.1016/0022-3093(79)90033-4
- Phillips J.C. // Phys. Status Solidi. B. 1980. V. 101. № 2. P. 473. https://doi.org/10.1002/pssb.2221010204
- Popov A.I. // Semiconductors and Semimetals. V. 78. / Ed. Fairman R., Ushkov B. Amsterdam, 2004. P. 51.
- Guo P., Sarangan A.M., Agha I. // Appl. Sci. 2019. V. 9. № 3. P. 530. https://doi.org/10.3390/app9030530
- Zhang W., Wuttig M., Mazzarello R. // Sci. Rep. 2015. V. 5. Р. 13496. https://doi.org/10.1038/srep13496
Дополнительные файлы
