Influence of Mixture Composition on Electrophysical Parameters and Emission Spectra of
Tetrafluoromethane and Trifluoromethane Plasma with Nitrogen

S. A. Pivovarenok; Пивоваренок С. А.; D. B. Murin; Мурин Д. Б.; A. Yu. Grazhdyan; Граждян А. Ю.

doi:10.31857/S0023119323020080

Влияние состава смеси на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы тетрафторметана и трифторметана с азотом

Авторы: Пивоваренок С.А.¹, Мурин Д.Б.¹, Граждян А.Ю.¹
Учреждения:
1. Ивановский государственный химико-технологический университет
Выпуск: Том 57, № 2 (2023)
Страницы: 144-148
Раздел: ПЛАЗМОХИМИЯ
URL: https://journals.rcsi.science/0023-1193/article/view/140004
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023119323020080
EDN: https://elibrary.ru/NGWHZG
ID: 140004

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Проведен анализ влияния состава смеси на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы смесей тетрафторметана и трифторметана с азотом в условиях тлеющего разряда постоянного тока. Установлено, что приведенная напряженность электрического поля нелинейно изменяется с увеличением доли второго газа в обеих смесях. Показано, что при доле азота 0.2 в смеси CF₄/N₂ приведенная интенсивность излучения атомарного фтора проходит через максимум, а в смеси CHF₃/N₂ наблюдается монотонное изменение данной зависимости. Приведенные интенсивности излучения радикалов CF₂ монотонно уменьшаются с ростом доли азота в обеих смесях.

Ключевые слова

плазма, электрофизические параметры, спектры, тетрафторметан, трифторметан, азот

Список литературы

Ситанов Д.В., Пивоваренок С.А. // Химия высоких энергий. 2017. Т. 51. № 4. С. 307.
Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Ефремов А.М. и др. // Нанотехника. 2011. № 1 (25). С. 69.
Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И. и др. // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 8. С. 41.
Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И. и др. // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 4. С. 29.
Пивоваренок С.А., Бакшина П.И. // Химия высоких энергий. 2021. Т. 55. № 3. С. 231.
Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б. // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 5. С. 374.
Дунаев А.В., Мурин Д.Б., Пивоваренок С.А. // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 2. С. 167.
Pivovarenok S.A., Dunaev A.V., Murin D.B. et al. // High Temperature. 2011. V. 49. № 4. P. 491.
Advanced plasma processing technology. New York: John Wiley & Sons Inc. 2008. 479 p.
Nojiri K. Dry etching technology for semiconductors. Tokyo: Springer Internat. Publ. 2015. 116 p.
Lieberman M.A., Lichtenberg A.J. Principles of plasma discharges and materials processing. New York: John Wiley & Sons Inc. 2005. 730 p.
Gaboriau F., Cartry G., Peignon M-C. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. V. 20. P. 1514.
Пивоваренок С.А., Мурин Д.Б. // Химия высоких энергий. 2022. Т. 56. № 3. С. 223.
Рохлин Г.Н. Разрядные источники света. 2-е изд.; перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1991. 720 с.
Иванов Ю.А., Лебедев Ю.А., Полак Л.К. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии. М.: Наука. 1981. 143 с.
Pearse R.W.B., Gaydon A.G. The identification of molecular spectra. Ed. 4th. New York: John Wiley & Sons, Inc. 1976. 407 p.
Стриганов А.Р., Свентицкий Н.С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизированных атомов. М.: Атомиздат., 1966. 899 с.
Proshina O., Rakhimova T.V., Zotovich A. et al. // Plasma Sources Sci. Technol. 2017. V. 26. P. 075005.
Sugawara H., Ishihara Y., Saito R. et al. // Proc. of 27th ICPIG. (Eindhoven, The Netherlands), 2005. P. 18.
Abouaf R., Teillet-Bill D. // Chem. Phys. Lett. 1980. V. 73. № 1. P. 106.
Gallup G.A., Xu Y., Fabrikant I.I. // Phys. Rev. A. 1998. V. 57. № 4. P. 2596.
Ho P., Johannes J.E., Buss R.J. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2001. V. 19. № 5. P. 2344.
Bose D., Rao M.V.V.S., Govindan T.R. et al. // Plasma Sources Sci. Technol. 2003. V. 12. P. 225.
Пивоваренок С.А. // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 4. С. 279.