Thermal Stimulation of Photocurrent in p–n Junctions


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The influence of temperature on the impurity photovoltaic effect in a semiconductor p–n junction is considered. It is shown that the filling of impurity levels by electrons transferred from the valence band due to thermal excitation increases photocurrents. The photocurrents due to thermal transitions of electrons from the valence band to acceptor impurity levels are calculated. The results of calculations are compared with experimental data. The obtained formulas explain the experimental results for the p–n junction based on an nGaAs❬Sn❭–pGaAs❬Si2❭–pAl0.65Ga0.35As❬Si2❭ solid solution.

Негізгі сөздер

Авторлар туралы

G. Gulyamov

Namangan Institute of Engineering Technology; Namangan Engineering and Construction Institute

Email: abdurasul.gulyamov@mail.ru
Өзбекстан, Namangan, 160115; Namangan, 160103

A. G. Gulyamov

Physical–Technical Institute, Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: abdurasul.gulyamov@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100084

U. I. Erkaboev

Namangan Engineering and Construction Institute

Email: abdurasul.gulyamov@mail.ru
Өзбекстан, Namangan, 160103

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Allerton Press, Inc., 2018